[实用新型]AlGaInP－LED微显示器件无效
| 申请号： | 200720093946.2 | 申请日： | 2007-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN201119048Y | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 梁静秋;王波;王维彪;梁中翥;朱万彬 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H05B33/14 | 分类号： | H05B33/14;H05B33/26;F21V11/06;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 | 代理人： | 赵炳仁 |
| 地址： | 130031吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | algainp led 显示 器件 | ||
1. 一种AlGaInP-LED微显示器件，其特征是由上电极(1)、透光层(4)、发光层(5)、反射层(6)、基片(7)、下电极(9)、光阑(11)构成；反射层(6)的上面依次为发光层(5)、透光层(4)，反射层(6)的下面是基片(7)；在透光层(4)上有互相平行的条形上电极(1)，发光层(5)和透光层(4)中开有纵向、横向交错的上隔离沟槽(2)内是光阑(11)；光阑(11)与上电极(1)将透光层(4)分割成长方形或正方形透光区(3)，透光区(3)构成二维阵列；反射层(6)下面的基片(7)上开有与上电极(1)互相垂直的下隔离沟槽(8)，将基片(7)分割成平行排列的条状结构，在每个条状结构的基片(7)上有下电极(9)。
2. 根据权利要求1所述的AlGaInP-LED微显示器件，其特征是透光区(3)尺寸为15×30μm2，构成1000×500二维阵列。
3. 根据权利要求2所述的AlGaInP-LED微显示器件，其特征是透光层(4)材料为p-GaP，发光层(5)由三层组成：上限制层(12)、有源层(13)、下限制层(14)，上限制层为p-AlGaInP材料，有源层为非故意掺杂的AlGaInP材料，下限制层为n-AlGaInP材料，反射层(6)材料为AlGaAs/GaAs，基片(7)材料为n-GaAs。
4. 根据权利要求3所述的AlGaInP-LED微显示器件，其特征是光阑(11)宽度为1～200μm，上电极(1)宽度为1～500μm，像素大小为10～1000μm。
5. 根据权利要求3所述的AlGaInP-LED微显示器件，其特征是电流从上电极(1)注入，从下电极(9)流出，在器件中形成电场，使得正负载流子在发光层(5)内复合发光；其中部分光向上穿过透光层(4)，从透光区(3)射出；部分光向下到达反射层(6)，被反射层(6)反射，再穿过发光层(5)、透光层(4)，从透光区(3)射出。
6. 根据权利要求2所述的AlGaInP-LED微显示器件，其特征是在透光区(3)、上电极(1)、光阑(11)上覆盖有上保护层(10)。
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