[实用新型]多晶硅氢还原炉进气喷口有效

专利信息
申请号: 200720081580.7 申请日: 2007-10-23
公开(公告)号: CN201105992Y 公开(公告)日: 2008-08-27
发明(设计)人: 戴自忠 申请(专利权)人: 四川永祥多晶硅有限公司
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;C01B33/03;C30B29/06;C30B35/00;F27B5/04
代理公司: 成都天嘉专利事务所 代理人: 方强
地址: 614800四*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型提供了一种多晶硅氢还原炉进气喷口,喷口设置在还原炉底盘上并与还原炉底盘下部的进气管连通,喷口为四组,每组喷口为多个,其中两组喷口形成的圆为同心圆,且均布在底盘每两个硅芯棒圈之间的圆周上,另外两组设置在内圈硅芯棒圆周之内;每个喷口上设有可拆卸式石墨喷嘴,且每个喷嘴的截面积相同;各组喷口的喷嘴的截面积之和的比为1∶2∶4∶8。采用本实用新型有效解决了多晶硅氢还原炉因炉内物料、温度分布不均匀而带来的硅棒沉积率低、生长不均匀的问题,并使炉内物料、温度形成循环流动,保证大直径硅棒生长时能获得较高的沉积速率。
搜索关键词: 多晶 还原 炉进气 喷口
【主权项】:
1、多晶硅氢还原炉进气喷口,所述喷口(10)设置在还原炉底盘(6)上并与还原炉底盘(6)下部的进气装置(11)连通,其特征在于:所述喷口(10)为四组,所述每组喷口(10)为多个,其中两组喷口(10)形成的圆为同心圆,且均布在底盘(6)每两个硅芯棒(3)圈之间的圆周上,另外两组设置在内圈硅芯棒(3)圆周之内;每个喷口(10)上设有可拆卸式石墨喷嘴,且每个喷嘴的截面积相同;各组喷口(10)的喷嘴的截面积之和的比为1∶2∶4∶8。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川永祥多晶硅有限公司,未经四川永祥多晶硅有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200720081580.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top