[实用新型]半导体器件过热保护电路无效
| 申请号： | 200720004267.3 | 申请日： | 2007-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN201057626Y | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陶明 | 申请（专利权）人： | 陶明 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04;H02H9/04 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周光 |
| 地址： | 241001安徽省芜湖*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种半导体器件过热保护电路，具有防止电子元件过热的保护装置。它含有一个与电子元件热接触的且串接在电路中的散热金属片，即在温度超限时，能断开供电电路结构。该电子元件过热保护装置断开电路机构是由导电的熔断元件构成。该电子元件过热保护装置断开电路机构采用具有弹性的导电簧片，此簧片焊接在固定的散热金属片上。当元件的温度超限时，在热作用下，簧片从散热金属片上解脱从而断开供电电路。电子元件是一个封装好的氧化锌压敏电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 过热 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件过热保护电路，，所述的过热保护电路并接在电子电气设备(1)的供电电源(6)上，其特征在于：所述的过热保护电路由衰减的元件和切断电路串接组成，所述的切断电路的一端与电源(6)相连接，另一端通过衰减的元件与地相连接。
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- 2023-01-09 - 2023-08-15 - H02H5/04
- 本实用新型属于开关量温度保护技术领域，特别涉及四路电机开关量温度模块，包括隔离电源和四个相同的保护模块，且隔离电源为保护模块供电，所述保护模块包括连接端口IN1、继电器模块和三极管，连接端口IN1和继电器模块之间利用三极管连接，所述连接端口IN1通过热敏电阻接地，所述热敏电阻的阻值与热敏电阻的温度成正比。本实用新型中热敏电阻超温且其电阻大于1.8K时，继电器模块会释放，继电器J向PLC控制器发送开关信号，三极管Q1的集电极不连接继电器J，直至热敏电阻降温且其电阻为1K时，继电器模块吸合，电路正常工作。
- 一种电容柜过负荷保护机构及电容柜-202320258286.8
- 周家典;陆良平;陈益明;王正洋 - 福建中能电气有限公司;中能电气股份有限公司
- 2023-02-20 - 2023-08-08 - H02H5/04
- 本实用新型公布一种电容柜过负荷保护机构及电容柜，所述电容柜过负荷保护机构设置在电容柜中，包括电容投切开关、电抗器和电容器；所述电容投切开关的触点的一端电连接于控制电源的相线，另一端通过所述电抗器电连接于电容器，形成一次回路；所述电抗器的温度辅助点的一端电连接于控制电源的相线，另一端电连接于所述电容投切开关的线圈的一端，所述电容投切开关的线圈的另一端电连接于控制电源的零线，形成二次回路。上述技术方案中，电容投切开关串接电抗器的温度辅助触点，可代替一次回路加装热继电器而实现过热保护，在不增加热继电器的情况下实现切断高温运行回路，减少了成本的投入，具有经济价值，节省部分安装的空间，利于散热。
- 一种基于温度感应的T/R组件输出驻波保护电路-202310175761.X
- 王卫华;江元俊;谢武涛 - 中国电子科技集团公司第十四研究所
- 2023-02-28 - 2023-07-28 - H02H5/04
- 本发明公开了一种基于温度感应的T/R组件输出驻波保护电路，包括电源调制保护电路、T/R开关、发射放大链路、接收限幅放大链路和收发环形器，还包括温度感应电路，所述温度感应电路包括控保电路和温度感应元件，所述温度感应元件安装在接收限幅放大链路中的限幅低噪放的负载上或者安装在负载的旁边，控保电路接收温度感应元件的信号，控保电路根据接收的信号关闭或打开发射定时信号给电源调制保护电路。本发明提出的基于温度感应的T/R组件输出驻波保护电路，克服了常规反射功率检测手段进行驻波保护的问题和限制，具备了小体积、低成本、抗干扰能力强、应用场景广等优点。
- 一种过温保护电路-202310085351.6
- 毛洪卫;赵显西;勇智强;刘松松 - 北京伽略电子股份有限公司
- 2023-02-09 - 2023-07-25 - H02H5/04
- 本申请公开了一种过温保护电路，包括：分压电路，在参考电压与地之间设置分压电阻，用以基于分压电阻连接至传输门；传输门，包括第一NMOS管N1、第一PMOS管P1、第一反相器INV1，其中：偏置电路，基于多组PMOS管为比较器电路提供偏置电流；比较器电路，包括第一NPN管Q1、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3、第四NMOS管N4、第二NPN管Q2，第二NPN管Q2，其基极与其集电极、所述第四NMOS管N4的栅极连接，其发射极通过电阻R6和电容C1的串联接地，其发射极连接至所述第二NMOS管N2的栅极。本申请实施例通过设计的传输门和比较器电路具有宽泛的温度滞回量，高效的转换速率，当供电电压发生变化时，电路性能稳定。
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