[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710306344.5 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101335242A | 公开（公告）日： | 2008-12-31 |
| 发明（设计）人： | 李起正;卢载盛;廉胜振;宋翰相;吉德信;金荣大;金珍赫;都官佑 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造电容器的方法，该方法包括：在衬底的上部上形成具有多个沟槽的牺牲层；在沟槽中形成储存节点；通过移除牺牲层的一部分来暴露出储存节点的上部；形成支撑物以支撑储存节点的暴露的上部；移除在支撑物下方的牺牲层；以及移除支撑物。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造电容器的方法，该方法包括：在衬底的上部上形成牺牲层，其中在所述牺牲层内形成多个沟槽；在所述沟槽中形成储存节点；通过移除所述牺牲层的一部分来暴露出所述储存节点的上部；形成支撑物以支撑所述储存节点的暴露的上部；移除在所述支撑物下方的所述牺牲层；和移除所述支撑物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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