[发明专利]多晶硅的制造方法

摘要

本发明提供可以适用于LCD等平板显示器的TFT用多晶硅的制造方法。本发明的多晶硅的制造方法包括以下步骤：(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在上述非晶质硅上的步骤；(c)将上述(b)中未吸附于上述非晶质硅上的源气体除去的步骤；(d)在吸附有源气体的上述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；(e)通过吸附在上述非晶质硅上的源气体与上述辅助气体发生反应，从而最终在上述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；(f)对吸附有上述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。根据本发明，具有以下效果：可以适当且微细地调节吸附于非晶质硅薄膜上的金属的量，可以在利用金属诱导结晶化方式进行硅的结晶化时，在降低结晶化温度的同时防止金属所导致的污染。

主权项

1.多晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步骤：(a)在非晶质硅上供给含有金属的源气体的步骤；(b)通过调节吸附压力、吸附时间和吸附温度中的至少一个来使规定量的源气体吸附在所述非晶质硅上的步骤；(c)将所述(b)中未吸附于所述非晶质硅上的源气体除去的步骤；(d)在吸附有源气体的所述非晶质硅上供给辅助气体的步骤；(e)通过吸附在所述非晶质硅上的源气体与所述辅助气体发生反应，从而最终在所述非晶质硅上吸附规定量的金属的步骤；以及(f)对吸附有所述金属的非晶质硅进行热处理的步骤。