[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710305313.8 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101211839A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 沈喜成 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 冯志云 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器的制造方法，该方法可以包括如下步骤：在半导体衬底上形成限定有源区的隔离层；在半导体衬底的晶体管区中形成第一和第二栅极；在第一栅极的第一侧的半导体衬底中形成光电二极管区；在光电二极管区上形成氧化层，该氧化层的厚度大于介电层的厚度；在第二栅极的第二侧上的半导体衬底中和第一栅极与第二栅极之间的半导体衬底中形成源/漏极延伸区；通过离子注入经过介电层，在半导体衬底的晶体管区中形成源/漏极区域；以及经过氧化层在该光电二极管区中形成的互补离子注入区域。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器的制造方法，包括如下步骤：在半导体衬底的有源区中形成光电二极管区，该半导体衬底具有第一栅极、第二栅极以及介电层，其中该有源区位于该第一栅极的第一侧，在该第二栅极上限定晶体管区，该介电层位于该半导体衬底、该第一栅极和该第二栅极上；在该光电二极管区上形成氧化层，该氧化层的厚度大于该介电层的厚度；在该半导体衬底中该第二栅极的第二侧以及该第一栅极与该第二栅极之间形成源/漏极延伸区；通过经由该介电层进行离子注入，在该半导体衬底的该晶体管区中形成源/漏极区域；以及经过该氧化层在该光电二极管区中形成互补离子注入区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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