[发明专利]用掺杂草酸盐共沉淀法制备的Gd211提高GdBaCuO高温超导体性能的方法无效
申请号: | 200710304584.1 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101468917A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 焦玉磊;肖玲;郑明辉;马小海;燕青芝;葛昌纯 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
主分类号: | C04B35/50 | 分类号: | C04B35/50;C04B35/622;H01B12/00 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程凤儒 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 用掺杂草酸盐共沉淀法制备的Gd211提高GdBaCuO高温超导体性能的方法,包括:第一步,把Gd2O3,Ba(NO3)2与CuO以摩尔比Gd∶Ba∶Cu=2∶1∶1称量,Gd2O3与CuO分别用浓硝酸溶解,Ba(NO3)2用热去离子水溶解,然后将各溶液混合,得到金属离子混合溶液;第二步,将草酸与溶解于无水乙醇中,得到草酸乙醇溶液;第三步,将金属离子混合溶液加入到草酸乙醇溶液中;第四步,沉淀后陈化、过滤,醇洗;第五步,干燥;第六步,850℃-900℃焙烧,得到平均粒度为300纳米-500纳米的Gd211粉体;第七步,将Gd211粉体加入到固相法合成的Gd123粉体中,再掺入Pt,然后用单轴模压成型,再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块。本发明的单畴GdBaCuO超导块,其磁悬浮力和磁化临界电流密度均能得到提高。 | ||
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【主权项】:
1、用掺杂草酸盐共沉淀法制备的Gd211提高GdBaCuO高温超导体性能的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第一步,把Gd2O3,Ba(NO3)2与CuO以摩尔比Gd:Ba:Cu=2:1:1称量,Gd2O3与CuO分别用浓硝酸溶解,Ba(NO3)2用温度为60-70℃的热去离子水溶解,然后将各溶液混合,得到金属离子混合溶液;第二步,按照草酸与上述金属离子混合溶液中的各金属离子的摩尔比为1.15:1的剂量称取草酸,溶解于无水乙醇中,无水乙醇在整个溶剂中的含量不低于85%的体积比,得到草酸乙醇溶液;第三步,将上述金属离子混合溶液加入到上述草酸乙醇溶液中,在磁力搅拌器上不断搅拌使之均匀,并且加入氨水溶液调节pH值到7-9;第四步,沉淀后陈化8h-10h过滤,醇洗,得到草酸金属盐沉淀物;第五步,将草酸金属盐沉淀物在烘箱中干燥;第六步,将干燥后的草酸金属盐沉淀物在马弗炉中850℃-900℃焙烧2.0-2.5小时,炉冷到室温,研磨后得到平均粒度为300纳米-500纳米的Gd211粉体;第七步,将Gd211粉体以相对于固相法合成的Gd123粉体的30mol%~50mol%的摩尔比加入到固相法合成的Gd123粉体中,再掺入相对于Gd123与Gd211混合粉体的0.2wt%-0.5wt%的Pt,然后经高速振摆球磨混合均匀后,用单轴模压成型,再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块。
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