[发明专利]磁畴型信息存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710303536.0 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101241754A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;左圣熏 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供具有沟槽的磁畴型信息存储器件及制造该信息存储器件的方法。本发明的信息存储器件包括衬底上的磁性层，该磁性层具有多个磁畴和一个用于移动磁畴壁的功率单元。磁性层平行于衬底，且磁性层中的多个沟槽垂直于衬底。与沟槽相对应的磁性层的下表面的部分向下突出。 | ||
| 搜索关键词： | 磁畴型 信息 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种信息存储器件，包括：沿第一方向延伸的衬底；在该衬底上沿第一方向延伸的磁性层，该磁性层包括被多个可移动磁畴壁分开的多个磁畴，该磁性层包括与所述第一方向基本垂直地延伸的多个磁性层沟槽，在所述多个沟槽中的每个下面该磁性层的下表面向下突出；以及用于移动所述可移动磁畴壁的功率单元。
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