[发明专利]磁畴型信息存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种信息存储器件，包括：

沿第一方向延伸的衬底；

在该衬底上沿第一方向延伸的磁性层，该磁性层包括被多个可移动磁畴壁分开的多个磁畴，该磁性层包括与所述第一方向基本垂直地延伸的多个磁性层沟槽，在所述多个沟槽中的每个下面该磁性层的下表面向下突出；以及

用于移动所述可移动磁畴壁的功率单元。

2.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该多个磁性层沟槽是等间距的。

3.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该多个磁性层沟槽随深度而变窄。

4.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该多个磁性层沟槽是V形。

5.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该多个磁性层沟槽的深度约为2nm到50nm。

6.如权利要求2所述的信息存储器件，其中该等间距约为5nm到1000nm。

7.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该多个磁性层沟槽的最大宽度约为2nm到250nm。

8.如权利要求1所述的信息存储器件，其中该衬底包括多个衬底沟槽，其位置与该磁性层沟槽对应。

9.如权利要求8所述的信息存储器件，其中该多个衬底沟槽随深度而变窄。

10.一种制造磁畴型信息存储器件的方法，该磁畴型信息存储器件具有沟槽，该方法包括：

在衬底上形成磁性层，该磁性层具有多个磁性层沟槽。

11.如权利要求10所述的方法，还包括：在该衬底上形成该磁性层前，在该衬底中形成多个衬底沟槽，其中该衬底中的多个衬底沟槽形成所述多个磁性层沟槽。

12.如权利要求11所述的方法，其中该衬底沟槽用纳米压印法形成。

13.如权利要求11所述的方法，其中形成所述多个衬底沟槽包括用母模压印该衬底并移去所述母模，所述母模在其下表面上具有多个突起。

14.如权利要求13所述的方法，其中该突起随深度而变窄。

15.如权利要求10所述的方法，其中该多个磁性层沟槽随深度而变窄。

16.如权利要求11所述的方法，其中该多个磁性层沟槽为V形。