[发明专利]影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法有效

专利信息
申请号: 200710195968.4 申请日: 2007-12-07
公开(公告)号: CN101452855A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 刘侑宗;李淂裕;方俊雄 申请(专利权)人: 统宝光电股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿 宁;张华辉
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明是有关一种影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法。该薄膜晶体管结构,其包含:一基板;一第一多晶硅岛,设置于该基板上;一栅极绝缘层,设置于该基板上,并覆盖该第一多晶硅岛;一第一多晶硅栅极,设置在该第一多晶硅岛上的该栅极绝缘层上;其中该第一多晶硅岛包含一第一源极与一第一漏极;以及其中该第一多晶硅岛不具有沟道离子掺杂。薄膜晶体管结构藉由以一较长波长的激光光源照射一非晶硅层,穿透非晶硅层与下方的栅极绝缘层,到达下方非晶硅岛,同时使非晶硅层、非晶硅岛分别再结晶成为多晶硅与微晶硅晶格,此外前者图案化后形成多晶硅栅极,后者掺杂后形成源极与漏极,可使制造过程简化,多晶硅栅极结构与绝缘层的介面性质较佳、临界电压较轻易调整。
搜索关键词: 影像 显示 系统 薄膜晶体管 结构 制造 方法
【主权项】:
1、一种影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于该方法包含以下步骤:提供一基板,该基板定义有一第一区域;在该基板上方形成一第一非晶硅层;图案化该第一非晶硅层于该第一区域形成一第一非晶硅岛;形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该第一非晶硅岛;形成一第二非晶硅层覆盖该栅极绝缘层;以波长大于400奈米的激光光源,执行一激光回火制造过程,使得该第二非晶硅层、该第一非晶硅岛同时再结晶为一第二多晶硅层、一第一多晶硅岛;图案化该第二多晶硅层,在第一多晶硅岛上方形成一第一多晶硅栅极;以及其中第一多晶硅岛不具有沟道离子掺杂。
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