[发明专利]影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法有效
申请号: | 200710195968.4 | 申请日: | 2007-12-07 |
公开(公告)号: | CN101452855A | 公开(公告)日: | 2009-06-10 |
发明(设计)人: | 刘侑宗;李淂裕;方俊雄 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/84;H01L29/786;H01L29/06;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿 宁;张华辉 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明是有关一种影像显示系统的薄膜晶体管的结构与制造方法。该薄膜晶体管结构,其包含:一基板;一第一多晶硅岛,设置于该基板上;一栅极绝缘层,设置于该基板上,并覆盖该第一多晶硅岛;一第一多晶硅栅极,设置在该第一多晶硅岛上的该栅极绝缘层上;其中该第一多晶硅岛包含一第一源极与一第一漏极;以及其中该第一多晶硅岛不具有沟道离子掺杂。薄膜晶体管结构藉由以一较长波长的激光光源照射一非晶硅层,穿透非晶硅层与下方的栅极绝缘层,到达下方非晶硅岛,同时使非晶硅层、非晶硅岛分别再结晶成为多晶硅与微晶硅晶格,此外前者图案化后形成多晶硅栅极,后者掺杂后形成源极与漏极,可使制造过程简化,多晶硅栅极结构与绝缘层的介面性质较佳、临界电压较轻易调整。 | ||
搜索关键词: | 影像 显示 系统 薄膜晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种影像显示系统的薄膜晶体管的制造方法,其特征在于该方法包含以下步骤:提供一基板,该基板定义有一第一区域;在该基板上方形成一第一非晶硅层;图案化该第一非晶硅层于该第一区域形成一第一非晶硅岛;形成一栅极绝缘层覆盖该基板、该第一非晶硅岛;形成一第二非晶硅层覆盖该栅极绝缘层;以波长大于400奈米的激光光源,执行一激光回火制造过程,使得该第二非晶硅层、该第一非晶硅岛同时再结晶为一第二多晶硅层、一第一多晶硅岛;图案化该第二多晶硅层,在第一多晶硅岛上方形成一第一多晶硅栅极;以及其中第一多晶硅岛不具有沟道离子掺杂。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于统宝光电股份有限公司,未经统宝光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710195968.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种视频重显率调整的方法及装置
- 下一篇:一种彩铃、彩像业务的实现方法及系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造