[发明专利]磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置无效
| 申请号： | 200710188779.4 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101202053A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 樱井正敏;镰田芳幸;白鸟聪志 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | G11B5/74 | 分类号： | G11B5/74;G11B5/82;G11B5/84 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置，所述磁记录介质包括：基底(51)；和形成在基底(51)上具有对应伺服区和记录区的凸起和凹陷图形的磁记录层(53)，其中位于记录区每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在记录区每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而磁记录介质表面上的高度差为7nm或更小。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，包括：基底(51)；和磁记录层(53)，其被形成在所述基底(51)上，且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形，其特征在于，位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层(53)的厚度(T2)小于对应于每个凸起的磁记录层(53)的厚度(T1)的三分之二，在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层(53)的厚度(T2)为1nm或更高，而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
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