[发明专利]磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置无效
申请号: | 200710188779.4 | 申请日: | 2007-11-20 |
公开(公告)号: | CN101202053A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 樱井正敏;镰田芳幸;白鸟聪志 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B5/74 | 分类号: | G11B5/74;G11B5/82;G11B5/84 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 杨晓光;李峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 记录 介质 制造 方法 以及 装置 | ||
技术领域
本发明的一个实施例涉及一种离散磁道型磁记录介质、其制造方法、以及磁记录装置。
背景技术
近来,组合至硬盘驱动器(HDD)的磁记录介质中经常出现的问题是,相邻磁道之间的干扰妨碍了改进磁道密度。特别是,如何减小由来自磁头的磁场所产生的边缘效应引起的写渗漏(bleeding)是一个重要的技术问题。
为解决该问题,提出了一种离散磁道磁记录介质(DTR介质),其具有处理的磁记录层以相互物理分隔记录磁道。DTR介质可抑制侧边擦除现象和侧边读取现象,在所述侧边擦除现象中,邻近磁道中的信息在写操作时被擦除,在所述侧边读取现象中,邻近磁道中的信息在读操作时被读取,从而使得磁道密度提高。因此,期望DTR介质为可获得高记录密度的磁记录介质。
在常规DTR介质中,从记录区中的相邻记录磁道之间的凹陷向下去除磁记录层直至衬层中。然后将由非磁性材料制成的嵌入层填入凹陷以平化介质表面(例如参见日本专利申请KOKAI公开2006-92659)。在DTR介质中,填充在凹陷中的嵌入层具有和衬层接触的底部以及和形成为凸起的磁记录层接触的侧壁。因此,嵌入层与不同材料接触,造成粘接变差。因此,当驱动磁记录装置时,嵌入层被剥离,同时使介质表面的平整性降低。另外,磁头有可能不利地被破坏。
另一方面,已知一种磁记录介质,其中选择性蚀刻一部分磁记录介质,并在凹陷中剩余磁记录介质(美国专利6,999,279)。但是,磁记录介质的表面存在大高度差。这不利地使磁头的浮动特征退化。
发明内容
本发明的目标在于提供一种磁记录介质,其提供磁头的合适浮动特性,并可防止嵌入层受到剥离。
根据本发明的一个实施例,提供一种磁记录介质,包括:基底;和磁记录层,其被形成在所述基底上,且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形,其特征在于,位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层的厚度小于对应于每个凸起的磁记录层的厚度的三分之二,在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高,而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
根据本发明的另一个实施例,提供一种磁记录介质,包括:基底;磁记录层,其被形成在所述基底上,且具有对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形;以及,填充在所述记录区的凹陷中的非磁性材料的嵌入层,其特征在于,位于所述记录区的每个凹陷中的磁记录层的厚度小于对应于每个凸起的磁记录层的厚度的三分之二,在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高,而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
而根据本发明的另一个实施例,提供一种制造磁记录介质的方法,包括:在基底上形成磁记录层;以及选择性向下蚀刻一部分磁记录层至大于所述磁记录层的厚度的三分之一的深度,以形成对应于伺服区和记录区的凸起和凹陷的图形,使得在所述记录区的每个凹陷中剩余的磁记录层的厚度为1nm或更高,而在所述磁记录介质的表面上的高度差为7nm或更小。
本发明可以提供一种提供磁头的合适浮动特性、以及可防止嵌入层受到剥离的磁记录介质。
在下面的描述中列举了本发明其它的目标和优点,并且这些目标和优点可部分地从该描述清楚,或者可由通过实施本发明而获知。可通过在下文特别指出的手段和组合实现和获得本发明的目标和优点。
附图说明
组合在说明书中、并构成说明书一部分的附图示出了本发明的实施例,其与上面的总描述和下面对实施例的详述一起解释本发明的原理。
图1为根据本发明的磁记录介质的示意俯视图;
图2为伺服区和记录区的示意图;
图3为示出伺服区和记录区中磁图形的俯视图;
图4为根据本发明第一实施例的磁记录介质中记录区的横截面图;
图5为根据本发明第二实施例的磁记录介质中记录区的横截面图;
图6A、6B、6C、6D、6E和6F为示出制造根据本发明磁记录介质方法的横截面图;以及
图7为根据本发明实施例的磁记录装置的结构图。
具体实施方式
下面将参考附图描述本发明的各种实施例。
将参考附图描述根据本发明的磁记录介质。
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