[发明专利]一种近红外单光子探测器

摘要

本发明是一种近红外单光子探测器。所述探测器包括：衬底，缓冲层，N型欧姆接触层，超晶格倍增层，电场控制层，带隙渐变层和光吸收层。通过引入超晶格结构，以及吸收层渐变结构达到提高探测器的性能，特别在探测器的探测频率、噪声影响都有极大的改善，能够有效地提高探测器的增益带宽积。另外，本发明所涉及的探测器制备，工艺简单，可重复性高。

主权项

1. 一种近红外单光子探测器，其特征在于，包括：衬底，该衬底用于在其上进行探测器各层材料外延生长；缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；N型欧姆接触层，该N型欧姆接触层制作在缓冲层上；超晶格倍增层，该超晶格倍增层制作在N型欧姆接触层上；电场控制层，该电场控制层制作在超晶格倍增层上；带隙渐变层，该带隙渐变层制作在电场控制层上；光吸收层，该光吸收层制作在带隙渐变层上；缓冲层，该缓冲层制作在光吸收层上；P型欧姆接触层，该P型欧姆接触层制作在缓冲层上。