[发明专利]一种实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法无效
| 申请号： | 200710178784.7 | 申请日： | 2007-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN101452714A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 裴京;唐毅;倪屹;潘龙法;徐海峥;熊剑平;陆达 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G11B7/013 | 分类号： | G11B7/013;G11B7/007;G11B7/26 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明是一种在光记录介质实现多阶存储的方法、光记录介质及其制作方法。在用于存储信息的坑/岸上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述坑的第一段和最后一段形成为子坑/岸。通过以下的任意一项或多项组合，使同一游程长度获得多种读出信号，从而实现多阶存储：改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的长度；改变对坑/岸分解所得子岸/子坑的位置；改变对坑/岸分解所得坑岸组合段的数目。本发明还包括采用此方法的光记录介质及其制作方法。本发明在不改变原来光盘存储写入和读出装置的条件下，在光记录介质实现多阶存储，显著提高只读光盘存储容量和数据传输率，与目前的光盘系统保持了最大的兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 存储 方法 记录 介质 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1. 一种在光记录介质上实现多阶游程长度受限存储的方法，包括步骤：在用于存储信息的坑的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述坑的游程长度上的第一段和最后一段形成为子坑；在用于存储信息的岸的游程长度方向上形成奇数段个相接的子坑和子岸，并且使所述岸的游程长度上的第一段和最后一段形成为子岸。
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