[发明专利]一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体和熔体界面处的温度梯度及热历史的方法无效
| 申请号： | 200710178096.0 | 申请日： | 2007-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN101445954A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 高宇;肖清华;吴志强;戴小林;屠海令;周旗钢;张果虎 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体和熔体界面处的温度梯度及热历史的方法，通过在晶体冷却室下方到热屏上方之间的炉室空间内设置顶部加热器的方法来控制直拉硅单晶生长过程热场分布，改变后继顶部加热器的功率，控制生长界面向晶体弯曲幅度，控制晶体在冷却过程中不同温度阶段经历的时间，限制空位和间隙原子等缺陷的形核，从而在一定程度上限制COPs等微缺陷的长大，同时可以减缓晶体内温度梯度，降低热应力，抑制因热应力过高而诱生的微缺陷。本发明的优点是方法使用方便，效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 控制 直拉硅单晶 生长 过程 晶体 界面 温度梯度 历史 方法 | ||
【主权项】：
1、一种控制直拉硅单晶生长过程中晶体生长界面处的温度梯度和热历史的方法，其特征在于：通过在晶体冷却室下方到热屏上方之间的炉室空间内设置顶部加热器的方法来控制直拉硅单晶生长过程热场分布，改变后继顶部加热器的功率，控制生长界面向晶体弯曲幅度，控制晶体在冷却过程中不同温度阶段经历的时间。
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