[发明专利]一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法无效
| 申请号： | 200710176601.8 | 申请日： | 2007-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101424878A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陈志刚;张杨;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01J37/317;H01J37/04 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：制作进行电子束曝光所需的T形栅的版图；步骤2：对制作T形栅的基片进行清洗，烘干；步骤3：在基片上涂三层电子束曝光胶、烘干；步骤4：电子束曝光，将所需的T形栅的版图转移到基片上；步骤5：显影和定影，在三层电子束曝光胶上形成制作T形栅的沟槽；步骤6：电子束蒸发栅极金属；步骤7：金属剥离，在沟槽内形成T形栅的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一次 电子束 曝光 形成 宽窄 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种一次电子束曝光形成高宽窄比T形栅的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：制作进行电子束曝光所需的T形栅的版图；步骤2：对制作T形栅的基片进行清洗，烘干；步骤3：在基片上涂三层电子束曝光胶、烘干；步骤4：电子束曝光，将所需的T形栅的版图转移到基片上；步骤5：显影和定影，在三层电子束曝光胶上形成制作T形栅的沟槽；步骤6：电子束蒸发栅极金属；步骤7：金属剥离，在沟槽内形成T形栅的结构。
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