[发明专利]一种高压MOS器件无效
| 申请号： | 200710173568.3 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101217160A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王俊 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压MOS器件，其至少包括栅极、源极及漂移区，其中，该器件还包括至少两个场板，所述场板相互间隔一段距离分布在漂移区的上表面，与栅极最近的场板与源极相连接，另一个场板与栅极相连。两个场板均由多晶硅层构成，厚度与栅极的多晶硅层厚度一样。两个场板的长度可以相同或不同。场板的长度取决于漂移区的掺杂程度，漂移区掺杂越低，场板越长，场板的长度范围不超过漂移区长度的三分之一。场板长度介于漂移区长度的六分之一到四分之一之间。与现有技术相比，本发明的器件提高了击穿电压，降低了导通电阻，器件速度不受影响，安全工作区较大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 mos 器件 | ||
【主权项】：
1.一种高压MOS器件，其至少包括栅极、源极及漂移区，其特征在于：该器件还包括至少两个场板，所述场板相互间隔一段距离分布在漂移区的上表面，与栅极最近的场板与源极相连接，另一个场板与栅极相连。
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