[发明专利]一种化学机械抛光工艺方法无效
| 申请号： | 200710173549.0 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101468448A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 徐春 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02;B24B57/02 |
| 代理公司： | 上海翰鸿律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种化学机械抛光工艺方法，包括如下步骤：将待抛光的晶圆固定于化学机械抛光仪器的研磨头上，正面朝向研磨垫，将化学机械抛光液滴流在抛光垫上，在研磨头上施加一下压力，并使其旋转，使抛光垫与抛光液摩擦晶圆正面，对晶圆正面进行化学机械抛光；其中，所述的下压力为0.5～6psi；所述的抛光头的转速为50～150rpm；所述的抛光液流速为30-150ml/分钟。本发明的化学机械抛光工艺方法可在保证抛光速率的同时，有效的降低摩擦力和摩擦系数，减少表面明显的缺陷(划伤、腐蚀等)，以满足先进制程的需要。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种化学机械抛光工艺方法，包括如下步骤：将待抛光的晶圆固定于化学机械抛光机的研磨头上，正面朝向研磨垫，将化学机械抛光液滴流在抛光垫上，使晶圆正面与抛光液，抛光垫相接触，在研磨头上施加一下压力，并使其旋转，使抛光垫与抛光液摩擦晶圆正面，对晶圆正面进行化学机械抛光，其特征在于：所述的下压力为0.5～6磅/平方英寸；所述的抛光头的转速为50～150转/分钟；所述的和抛光液流速为30～150毫升/分钟。
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