[发明专利]一种高压与低压兼容的双极型晶体管的制造方法

摘要

一种高压与低压兼容的双极型晶体管的制造方法，在常规的双极型高压晶体管制造工艺中加入了低压工艺的要素，采用厚外延、高电阻率满足高压晶体管的需求；采用双外延、双埋层满足低压晶体管的需求，使电路中高压晶体管和低压晶体管的电学性都能达到最佳化。

主权项

1、一种高压与低压兼容的双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：制备半导体衬底；在所述半导体衬底中形成N型深埋层；整片腐蚀热生长在所述半导体衬底上的氧化层后，在所述半导体衬底上生长第一外延层；在所述第一外延层里形成N型浅埋层；在所述第一外延层里形成P型埋层；整片腐蚀热生长在所述第一外延层上的氧化层后，在所述第一外延层上生长第二外延层；在所述第一外延层和所述第二外延层里形成与所述浅埋层相接的深磷区；在所述第二外延层里形成隔离区；在所述第二外延层里形成N阱；在所述第二外延层里形成基区和发射区；在热生长在所述第二外延层上的氧化层中光刻接触孔；在获得的结构上形成金属化布线。