[发明专利]有机薄膜制造方法有效
申请号: | 200710163166.5 | 申请日: | 2004-04-14 |
公开(公告)号: | CN101157078A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | 木村信夫;藤田佳孝;中本宪史;肥高友也 | 申请(专利权)人: | 日本曹达株式会社 |
主分类号: | B05D7/24 | 分类号: | B05D7/24;B05D1/18;C08J7/06;C03C17/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蒋亭;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供一种可以迅速而且稳定地多次连续形成杂质少、致密的有机薄膜的有机薄膜制造方法。该有机薄膜制造方法是在基板表面上形成有机薄膜的有机薄膜制造方法,其特征在于,包括把含有具有至少1个或更多个水解性基团的金属类表面活性剂和可以与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂的有机溶剂溶液与所述基板接触的工序(A),将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在规定量范围。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.有机薄膜制造方法,其是在基板表面上形成有机薄膜的有机薄膜制造方法,其特征在于,包括使含有金属类表面活性剂、能够与此金属类表面活性剂相互作用的催化剂、以及有机溶剂的有机溶液与所述基板接触的工序(A),将所述有机溶剂溶液中的水分含量设定或保持在50~1000ppm范围,其中所述催化剂是有机酸或酸催化剂,有机溶剂是烃类溶剂或氟化碳类溶剂,所述金属类表面活性剂是以式(I)表示的金属类表面活性剂:R1 nMXm-n (I)式中,R1表示有或没有取代基的烃基、有或没有取代基的卤代烃基、含连结基的烃基或含连结基的卤代烃基,所述取代基是羧基、酰氨基、酰亚氨基、酯基、烷氧基、羟基;M表示选自硅原子、锗原子、锡原子、钛原子以及锆原子中的至少1种金属原子;X表示羟基或水解性基团;n表示1~(m-1)中的任一整数;m表示M的原子价;当n为2或更多时,R1相同或不同,而当(m-n)为2或更多时,X相同或不同,但是,在(m-n)个X中,至少1个X是水解性基团;其中所述水解性基团是与水反应而分解的基团。
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