[发明专利]制作存储单元元件的方法

摘要

一种制造存储单元元件的方法，该元件包含存储材料元素，该存储材料元素可通过施加能量来改变电性，此方法包含沉积导体层，沉积电介质材料层，并将其蚀刻，以制作第一电极与孔洞。在该孔洞中加入存储材料，以制作存储材料元素，该存储材料元素与该第一电极接触。再制作第二电极，与存储材料元素接触。

主权项

1.一种制作存储单元元件的方法，所述元件包含存储材料元素，所述存储材料元素可由施加能量来改变电性，所述方法包含：在衬底上沉积第一导电层；在所述第一导电层上沉积第一电介质材料层；在所述第一电介质材料层上沉积第二电介质材料层；形成穿越所述第一电介质材料层与所述第二电介质材料层的第一空洞，以便条在所述第一导电层上制作第一电极条，所述第一空洞的边界为侧壁；蚀刻所述侧壁的一部分，所述部分由所述第一电介质材料层所界定，以便制作凹陷区域，而所述凹陷区域介于所述第一电极条与所述第二电极材料层之间；在所述第一空洞中沉积第三电介质材料，沉积所述第三电介质材料的步骤为在所述凹陷区域中建立孔洞，而所述空洞开口直至所述第一电极条；形成第二空洞，所述第二空洞穿越所述第三电介质材料与所述第二电介质材料，并穿越所述第一电极条，以(1)由所述第一电极条建立第一电极，并(2)贯穿所述孔洞，使得所述孔洞包含未与所述第二空洞对准的第一空洞部分，及与所述第二空洞对准的第二孔洞部分；填充所述第二孔洞部分与至少一部分的第二空洞，填充材料为第四电介质材料，同时至少保持部分的所述第一孔洞部分开口；去除在所述第一电介质材料层之上的所述第二电介质材料层与部分的所述第三、第四电介质材料，以裸露所述第一孔洞部分；施加存储材料至所述第一孔洞部分，以建立存储材料元素，同时所述存储材料元素与所述第一电极具有电接触；在所述第一电介质材料层的外表面上施加第二电极导电层，同时与所述存储材料元素具有电接触。