[发明专利]应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及激光结晶方法

摘要

本发明提供一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜以及使用此掩膜的激光结晶方法。所述的掩膜包括主透光单元以及副透光单元。主透光单元相对于对称轴具有主对称透光区域。副透光单元沿对称轴位于主透光单元的两侧。副透光单元具有遮光图案，且遮光图案中具有相对于对称轴对称分布的复数个副透光区域。激光结晶方法步骤包含提供具有非晶硅层的基板、提供上述掩膜、使用激光通过掩膜熔融该非晶硅层以于基板上产生第一结晶区域、移动掩膜使副透光单元的第一副透光单元移动至与第一结晶区域的第二副结晶单元对应、以及使用激光通过掩膜熔融非晶硅层以于基板上产生第二结晶区域。

主权项

1.一种应用于连续性侧向长晶技术的掩膜，其特征是，该掩膜至少包括：一主透光单元，该主透光单元相对于一对称轴具有一主对称透光区域；以及一副透光单元，沿所述的对称轴位于所述的主透光单元的两侧，该副透光单元具有一遮光图案，且该遮光图案中具有相对于所述的对称轴对称分布的复数个副透光区域。