[发明专利]声换能器结构以及制造声换能器结构的方法有效
申请号: | 200710159602.1 | 申请日: | 2007-11-02 |
公开(公告)号: | CN101222792A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | A·德赫;S·巴曾;M·富尔德纳 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00;H04R19/00;B81C1/00;B81B3/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;魏军 |
地址: | 德国新*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及声换能器结构以及制造声换能器结构的方法。为制造声换能器结构,隔膜支撑材料被用于隔膜载体材料的第一主表面上,且隔膜材料被用于声换能区域和隔膜支撑材料的表面上的边缘区域中。另外,反电极支撑材料被用于隔膜材料的表面上,且在隔膜材料的声换能区域中形成凹进。反电极材料被用于反电极支撑材料和隔膜载体材料,且在声换能区域中隔膜支撑材料被移动到隔膜材料。 | ||
搜索关键词: | 声换能器 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造声换能器结构的方法,包括以下步骤:在隔膜载体材料的第一主表面上施加隔膜支撑材料(22);在声换能区域(30)和与隔膜载体材料的第一主表面相对的隔膜支撑材料(22)的第一主表面上的边缘区域(16)中施加隔膜材料(6);在与隔膜支撑材料(22)的第一主表面相对的隔膜材料(6)的第一主表面上施加反电极支撑材料(26);在声换能区域(30)中在与隔膜材料(6)的第一主表面相对的反电极支撑材料(26)的第一主表面中产生多个凹进(88);在反电极支撑材料(26)的第一主表面上施加反电极材料(4);和将声换能区域(30)中的隔膜载体材料和隔膜支撑材料(22)移动到相邻于隔膜支撑材料(22)的第一主表面的隔膜材料(6)的第二主表面。
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