[发明专利]有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法无效
| 申请号： | 200710156629.5 | 申请日： | 2007-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN101148248A | 公开（公告）日： | 2008-03-26 |
| 发明（设计）人： | 高基伟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 | 代理人： | 唐银益 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，使用锐钛矿晶体钛溶胶，包括以下步骤：1)将有机半导体加入锐钛矿晶体钛溶胶中，并搅拌均匀，得有机半导体复合钛溶胶；2)将带有孔道的纳米多孔氧化铝模板浸入溶胶中，使溶胶填充于模板的孔道内；或者将溶胶置于带有孔道的纳米多孔氧化铝模板的一侧，在模板的另一侧施加负压，最终使溶胶填充于模板的孔道内；3)取出上述纳米多孔氧化铝模板，干燥；4)用碱或酸溶去纳米多孔氧化铝模板，得到有机半导体复合氧化钛纳米线。采用该方法制备的氧化钛纳米线光性能好、并能提高载流子传递效率。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 复合 氧化 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.有机半导体复合氧化钛纳米线的制备方法，使用锐钛矿晶体钛溶胶，其特征在于包括以下步骤：1)、将有机半导体加入锐钛矿晶体钛溶胶中，并搅拌均匀，得有机半导体复合钛溶胶；所述锐钛矿晶体钛溶胶与有机半导体的重量比为5～100∶1；2)、将带有孔道的纳米多孔氧化铝模板浸入有机半导体复合钛溶胶中，使所述溶胶填充于模板的孔道内；或者将有机半导体复合钛溶胶置于带有孔道的纳米多孔氧化铝模板的一侧，在所述模板的另一侧施加负压，使所述溶胶流经模板的孔道，最终使溶胶填充于模板的孔道内；3)、取出上述纳米多孔氧化铝模板，干燥；4)、用碱或酸溶去纳米多孔氧化铝模板，得到有机半导体复合氧化钛纳米线。
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