[发明专利]喷孔结构及制备方法无效
申请号: | 200710154342.9 | 申请日: | 2007-09-21 |
公开(公告)号: | CN101391241A | 公开(公告)日: | 2009-03-25 |
发明(设计)人: | 林春佑;孟宪铠 | 申请(专利权)人: | 微邦科技股份有限公司 |
主分类号: | B05B1/14 | 分类号: | B05B1/14;B05B1/28;H05K3/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明一种喷孔结构及制备方法,是形成预定图型的导电基材本体的表面形成一光阻层,再进行黄光微影制备形成具有预定图型的光阻图型结构,以导电基材本体及光阻图型结构为电铸模板进行电铸制备,形成一特定几何形状的喷孔结构,接着再进行脱膜,使喷孔结构与导电基材本体分离,再予以去除所残留的光阻层,而得到一具有特定开孔角度的喷孔结构。 | ||
搜索关键词: | 结构 制备 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种喷孔结构,是于一喷孔基体的表面等距布设有多个喷孔,且各个喷孔是自该喷孔基体的表面贯穿至该喷孔基体的底面,其特征在于各个喷孔包括有:一第一开孔孔径;一第二开孔孔径;一第一滞留区,其由该喷孔基体的底面以一垂直方向向下凸伸一预定距离,并具有一滞留面;一第二滞留区,其位于二相邻第一滞留区之间,且位于该二相邻的喷孔之间;一基体总区段,其由该喷孔基体的表面延伸至该第一滞留区的滞留面;一渐缩区段,其由该喷孔基体的表面向内渐缩至该第一开孔孔径的接近几何中心处,且孔径大小自第一开孔孔径渐小至该第二开孔孔径。
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