[发明专利]垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置

摘要

本发明涉及垂直腔面发射激光二极管及其制造方法和相关装置。该垂直腔面发射激光二极管包括基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、第一半导体镜面层上的有源区、有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近有源区的电流限制层。台式晶体管结构形成为使电流限制层的至少一侧表面露出。电流限制层包括具有铝成分的第一半导体层和具有铝成分的第二半导体层，第二半导体层形成为比第一半导体层更靠近有源区。第一半导体层的铝浓度比第二半导体层的高。当激光的振荡波长为λ时，作为第一和第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4。从台式晶体管结构的所述侧表面选择地使第一和第二半导体层氧化。

主权项

1、一种垂直腔面发射激光二极管，该垂直腔面发射激光二极管包括：在基板上的第一导电型的第一半导体镜面层、在该第一半导体镜面层上的有源区、在该有源区上的第二导电型的第二半导体镜面层和接近所述有源区的电流限制层；以及台式晶体管结构，该台式晶体管结构形成为使得所述电流限制层的至少一侧表面露出；并且所述电流限制层包括包含铝成分的第一半导体层和包含铝成分的第二半导体层，该第二半导体层形成为比所述第一半导体层更靠近所述有源区，并且所述第一半导体层的铝浓度高于所述第二半导体层的铝浓度，当激光的振荡波长为λ时，作为所述第一半导体层和所述第二半导体层的厚度总和的光学厚度为λ/4，并且从所述台式晶体管结构的所述侧表面有选择地使所述第一半导体层和所述第二半导体层氧化。