[发明专利]三状态一次可编程存储器元件有效
| 申请号： | 200710149390.9 | 申请日： | 2007-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101154466A | 公开（公告）日： | 2008-04-02 |
| 发明（设计）人： | 胡永中;张育诚;戴嵩山 | 申请（专利权）人： | 万国半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 王敏杰 |
| 地址： | 百慕大哈密尔*** | 国省代码： | 百慕大群岛;BM |
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| 摘要： | 本发明公开了一种进行编程，试验和调整操作的方法。该方法包括应用编程电路编程一次可编程存储器以探测和读出一次可编程存储器的三个不同状态之一的步骤，用一次可编程存储器的三个状态之一实行调整操作，由此实现对一次可编程存储器元件更高的利用。选择一次可编程的两个导电电路并将其编程为两个不同的操作特性因此而能实现存储和读出一次可编程存储器的三个不同的状态之一。该两个导电电路可以包括两个不同的晶体管，用于编程为具有不同的电流传导特性的线性电阻和非线性电阻。所述编程处理包括施加高电压和不同的编程电流，因此而产生该两个晶体管的不同的工作特性。 | ||
| 搜索关键词： | 状态 一次 可编程 存储器 元件 | ||
【主权项】：
1.一种进行实验和调整操作的方法，其特征在于，该方法包括：实施用于向一次可编程存储器提供交替信号以探测一次可编程存储器的三个不同状态的试验器，用一次可编程存储器的三个状态之一实行调整操作，由此实现对一次可编程存储器元件更高的利用。
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