[发明专利]制造显示基底的方法无效

专利信息
申请号: 200710147718.3 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101131965A 公开(公告)日: 2008-02-27
发明(设计)人: 徐珍淑;金圣万;李奉俊;安炳宰;李种赫 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;邱玲
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明公开了一种制造显示基底的方法,在该方法中,在形成有薄膜晶体管(TFT)的基底上形成光致抗蚀剂层图案,在光致抗蚀剂层图案上形成透明导电层。然后,在部分去除光致抗蚀剂层图案的同时,通过剥离方法将透明导电层图案化,从而形成透明导电层图案。
搜索关键词: 制造 显示 基底 方法
【主权项】:
1.一种制造显示基底的方法,所述方法包括的步骤为:在划分为第一区域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极;在所述栅电极上形成半导体层图案,从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置;在所述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极;在所述源电极和所述漏电极上形成第一光致抗蚀剂层,以覆盖所述基底的整个表面;在所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层;将所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层图案化,从而形成第一光致抗蚀剂层图案,使得在所述第一区域中剩余第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层,在所述第二区域中剩余第一光致抗蚀剂层,并在所述第三区域中去除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层;形成透明导电层,以覆盖所述基底的整个表面;在去除与所述第一区域对应的第二光致抗蚀剂层的同时去除所述第一区域的透明导电层,从而形成透明导电层图案。
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