[发明专利]制造显示基底的方法无效
申请号: | 200710147718.3 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101131965A | 公开(公告)日: | 2008-02-27 |
发明(设计)人: | 徐珍淑;金圣万;李奉俊;安炳宰;李种赫 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 韩明星;邱玲 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种制造显示基底的方法,在该方法中,在形成有薄膜晶体管(TFT)的基底上形成光致抗蚀剂层图案,在光致抗蚀剂层图案上形成透明导电层。然后,在部分去除光致抗蚀剂层图案的同时,通过剥离方法将透明导电层图案化,从而形成透明导电层图案。 | ||
搜索关键词: | 制造 显示 基底 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造显示基底的方法,所述方法包括的步骤为:在划分为第一区域、第二区域和第三区域的基底上形成栅电极;在所述栅电极上形成半导体层图案,从而在平面图中所述半导体层图案与所述栅电极部分地叠置;在所述半导体层图案上形成相互分隔开的源电极和漏电极;在所述源电极和所述漏电极上形成第一光致抗蚀剂层,以覆盖所述基底的整个表面;在所述第一光致抗蚀剂层上形成第二光致抗蚀剂层;将所述第一光致抗蚀剂层和所述第二光致抗蚀剂层图案化,从而形成第一光致抗蚀剂层图案,使得在所述第一区域中剩余第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层,在所述第二区域中剩余第一光致抗蚀剂层,并在所述第三区域中去除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层;形成透明导电层,以覆盖所述基底的整个表面;在去除与所述第一区域对应的第二光致抗蚀剂层的同时去除所述第一区域的透明导电层,从而形成透明导电层图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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