[发明专利]抗蚀覆盖膜形成材料、抗蚀图案形成方法、电子器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710146875.2 申请日: 2007-08-24
公开(公告)号: CN101135849A 公开(公告)日: 2008-03-05
发明(设计)人: 小泽美和;野崎耕司;并木崇久 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: G03F7/004 分类号: G03F7/004;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供了一种材料,其包括:由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物;和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c通式(1)其中R1代表单价有机基团,氢原子和羟基中的至少一个,R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上,且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0,且“a”、“b”和“c”不同时为0),且(R1tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
搜索关键词: 覆盖 形成 材料 图案 方法 电子器件 及其 制造
【主权项】:
1.一种材料,其包括:由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物,和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c 通式(1)其中R1代表单价有机基团、氢原子和羟基中的至少一个,R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上,且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0,且“a”、“b”和“c”不同时为0),且(R1 tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
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