[发明专利]抗蚀覆盖膜形成材料、抗蚀图案形成方法、电子器件及其制造方法有效
申请号: | 200710146875.2 | 申请日: | 2007-08-24 |
公开(公告)号: | CN101135849A | 公开(公告)日: | 2008-03-05 |
发明(设计)人: | 小泽美和;野崎耕司;并木崇久 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
主分类号: | G03F7/004 | 分类号: | G03F7/004;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种材料,其包括:由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物;和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c通式(1)其中R1代表单价有机基团,氢原子和羟基中的至少一个,R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上,且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0,且“a”、“b”和“c”不同时为0),且(R1tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。 | ||
搜索关键词: | 覆盖 形成 材料 图案 方法 电子器件 及其 制造 | ||
【主权项】:
1.一种材料,其包括:由通式(1)表示的具有至少一个碱溶性基团的含硅聚合物,和可以溶解所述含硅聚合物的有机溶剂,(SiO4/2)a(R1tSiO(4-t)/2)b(O1/2R2)c 通式(1)其中R1代表单价有机基团、氢原子和羟基中的至少一个,R2代表单价有机基团和氢原子中的至少一个(其中R1和R2可以各自出现两次或以上,且R1和R2中至少一个含有碱溶性基团),“t”代表1~3的整数,“a”、“b”和“c”代表其单元的相对比例(其中a≥0、b≥0、c≥0,且“a”、“b”和“c”不同时为0),且(R1 tSiO(4-t)/2)b可以出现两次或以上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通株式会社,未经富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710146875.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:检测跟踪状态的方法和系统及跟踪代理、跟踪控制服务器
- 下一篇:安全扣