[发明专利]硅元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710146680.8 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101132046A | 公开（公告）日： | 2008-02-27 |
| 发明（设计）人： | 楚树成;菅博文 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供硅元件的制造方法，其具有：在显示第1导电型的硅基板(2a)的第1面(S1a)上形成显示第2导电型的硅层(4a)的工序，和在该工序后，使硅层(4a)的第3面(S3a)在30分钟以上6小时以内的时间段，露出于被调整为400℃以上900℃以下的温度及4MPa以上200MPa以下的压力的包含氩气的气氛中的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.硅元件的制造方法，其特征在于：具有：在显示第1导电型的硅原材料的表面上形成显示第2导电型的硅层的工序；以及在所述工序之后使所述硅层的表面在30分钟以上6小时以内的时间段，露出于被调整为400℃以上900℃以下的温度及4MPa以上200MPa以下的压力的包含氩气的气氛中的工序。
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