[发明专利]在半导体器件中形成金属线的方法无效
| 申请号： | 200710146069.5 | 申请日： | 2007-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN101140902A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 洪志镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在半导体器件中形成金属线的方法。该方法包括在基板上形成层间绝缘膜，通过选择性图形化层间绝缘膜形成通孔，在包括通孔内部部分的层间绝缘膜表面上形成金属膜，用铜沟槽填充通孔的内部部分，使用反向电流退镀在层间绝缘膜表面上暴露出的铜层，以形成铜金属线和在该铜金属线上的凹进区域，通过沉积在包括凹进区域的层间绝缘膜表面上形成上部绝缘膜，和通过蚀刻上部绝缘膜仅在铜金属线上的凹进区域上选择性形成绝缘帽盖层。由此，在金属线、具体为铜金属线上选择性地形成绝缘层，且可以降低整个Cu金属线中层间绝缘膜的有效k，从而降低了Cu金属线的RC延迟。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 金属线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体器件中形成金属线的方法，包括：在基板上形成层间绝缘膜；通过选择性图形化所述层间绝缘膜形成通孔；在包括所述通孔内部部分的所述层间绝缘膜表面上形成金属膜；用铜沟槽填充所述通孔的内部部分；使用反向电流退镀在所述层间绝缘膜表面上暴露出的铜层，以形成铜金属线和在该铜金属线上的凹进区域；通过沉积在包括所述凹进区域的所述层间绝缘膜表面上形成上部绝缘膜；和通过蚀刻所述上部绝缘膜仅在所述铜金属线上的所述凹进区域上选择性地形成绝缘帽盖层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
