[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200710141650.8 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101127325A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 朴正秀 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L27/146 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器的制造方法，通过在布线层的像素区域上蚀刻多个孔而在衬底上形成微透镜，沉积氧化层以在孔上形成具有半圆形横截面的表面，可以蚀刻掉氧化层，保留形成在布线层上的微透镜。与现有技术的图像传感器相比，根据本发明的实施例的CMOS图像传感器所提供的微透镜，其圆弧具有更恒定的半径，因而可以提高图像传感器的性能和灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：在半导体衬底上形成光电二极管；在所述半导体衬底上形成布线层；通过第一蚀刻工艺在所述布线层上形成多个孔；在所述布线层上堆叠第一氧化膜；以及通过在所述第一氧化膜上实施第二蚀刻工艺形成多个微透镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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