[发明专利]单锁存结构的多位闪存器件及编程方法、系统和存储卡有效
| 申请号： | 200710138897.4 | 申请日： | 2007-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101093724A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 李镐吉;李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种多位非易失性存储器件。所述存储器件包括存储单元阵列，其包括多个存储单元。页缓冲器电连接到所述存储单元阵列。所述页缓冲器包括多个锁存器，其被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的多位数据的第一位。缓冲随机存取存储器(RAM)电连接到所述页缓冲器。所述缓冲RAM被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一读出的所述多位数据的第二位。还提供相关系统、存储卡和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单锁存 结构 闪存 器件 编程 方法 系统 存储 | ||
【主权项】：
1、一种多位非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，其包括多个存储单元；页缓冲器，其电连接到所述存储单元阵列，所述页缓冲器包括多个锁存器，所述锁存器被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述多个存储单元之一读出的多位数据的第一位；和缓冲随机存取存储器(RAM)，其电连接到所述页缓冲器，所述缓冲RAM被配置成存储写入所述存储单元阵列的所述多个存储单元之一或从所述多个存储单元之一读出的所述多位数据的第二位。
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