[发明专利]管理和使用用于处理和设备控制的计量数据有效
申请号: | 200710135858.9 | 申请日: | 2007-07-30 |
公开(公告)号: | CN101359612A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 曼纽尔·B·玛德瑞加;维·翁;鲍君威 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00;G01B11/06;G01B11/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 管理和使用用于处理和设备控制的计量数据的装置包括制造系统和计量处理器。制造系统包括制造集群、计量集群、计量模型优化器和实时轮廓评估器。制造集群对具有图案结构和不带图案结构的晶片进行处理。计量集群测量离开图案结构和不带图案结构的衍射信号。计量模型优化器使用测量衍射信号并浮动轮廓参数、材料折射参数和计量设备参数来优化光学计量模型。实时轮廓评估器使用经优化光学计量模型、测量衍射信号和材料折射参数和计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值。实时轮廓评估器产生包括下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓的输出。计量数据处理器对来自材料折射参数和计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值进行接收、处理、储存和传送。 | ||
搜索关键词: | 管理 使用 用于 处理 设备 控制 计量 数据 | ||
【主权项】:
1.一种使用光学计量模型对半导体晶片上形成的带图案结构进行检查的装置,所述装置包括:第一制造系统,包括:第一制造集群,设置成对晶片进行处理,所述晶片具有第一带图案结构和第一不带图案结构,所述第一带图案结构具有下覆膜厚度、临界尺寸、和轮廓;第一计量集群,包括连接到所述第一制造集群的一个或多个光学计量设备,所述第一计量集群设置成对离开所述第一带图案结构和所述第一不带图案结构的衍射信号进行测量;第一计量模型优化器,连接到所述第一制造集群和所述第一计量集群,所述第一计量模型优化器设置成使用离开所述第一带图案结构的一个或多个测量衍射信号并采用浮动的轮廓参数、材料折射参数以及计量设备参数来对所述第一带图案结构的光学计量模型进行优化;第一实时轮廓评估器,连接到所述第一光学模型优化器和所述第一计量集群,并被设置成使用来自所述第一计量模型优化器的经优化光学计量模型、离开所述第一带图案结构的测量衍射信号、和来自所述材料折射参数和所述计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值,其中,所述第一实时轮廓评估器被设置以创建输出,所述输出包括所述第一带图案结构的下覆膜厚度、临界尺寸和轮廓;以及计量处理器,连接到所述第一制造系统,所述计量数据处理器设置成对来自所述材料折射参数和所述计量设备参数中至少一个参数的值域内的固定值进行接收、处理、储存和传送。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造