[发明专利]采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统

摘要

本发明涉及一种采用电介质存储元件的多态非易失性集成电路存储系统，非易失性存储器单元在存储器单元的沟道区域上一电介质材料存储区域中存储相应于正在被存储在夹在一控制栅(109，110，111)和半导体衬底表面(101)之间的电介质材料存储区域的数据的电荷级别。用正在被存储在电介质材料的一公用区域的多于两个的电荷中的一个提供多于两个的存储状态。在每一单元中可包括多于一个此种公用区域的多个区域。在一形式中，在一单元中提供邻接源极与漏极扩散区域(103，104，105)的两个这样的区域，也包括位于两个区域之间的选择晶体管。在另一形式中，存储单元串的NAND阵列在一个夹在字线(110)与半导体衬底(100)之间的电介质层区域中存储电荷。

主权项

1.一种包含存储器单元阵列的类型的非易失性存储器，所述存储器单元具有在半导电沟道中位于导电性材料和衬底的表面之间的电荷存储电介质材料，所述半导电沟道延伸穿过源极和漏极区域之间的表面，所述非易失性存储器包括：编程电路，其包括可连接到至少所述导电性材料和所述漏极以向其上提供电压的电压源，所述提供的电压的量使得电荷通过热电荷注入或源极侧注入的沟道穿过各个已编址的存储器单元的沟道从所述衬底注入到所述电荷存储电介质的至少两个已定义的非重叠区域以达到多个级别，所述多个级别根据被编程的数据将所述沟道的至少两个部分的各自的阈值调整为两个以上级别中的一者，由此所述电介质存储材料的所述至少两个已定义的区域中的各个区域可存储多于一位的所述数据，和读取电路，其包括电压源和读出放大器，所述读出放大器可连接到所述导电性材料、各个已编址的存储器单元的源极和漏极以监控与所述沟道的至少两个部分的各个部分的两个以上阈值级别中被编程的级别相关联的参数，且因此从所述电介质存储材料的各个已定义的区域读取多于一位的所述数据。