[发明专利]具使蚀刻速度均匀分布的阴极的掩模蚀刻等离子体反应器有效
| 申请号： | 200710129974.X | 申请日： | 2007-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN101174096A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 理查德·莱温顿;迈克尔·N·格林博金;吉姆·K·尼古恩;达林·比文斯;马德哈唯·R·钱德拉乔德;阿杰伊·库玛 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/00;H01L21/00;H01J37/32;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于蚀刻工件诸如矩形或正方形的掩模的等离子体反应器，包括具有顶部和侧壁的真空腔室和在包括阴极的腔室内的工件支撑底座，其中该阴极具有用于支撑工件的表面，该表面包含多个各个区域，该表面的各个区域由不同电学特性的各个材料形成。区域可以相对于晶圆支撑底座的对称轴同心排列。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 速度 均匀分布 阴极 等离子体 反应器 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理工件的等离子体反应器，包含：具有顶部和侧壁的真空腔室；以及在包括阴极的所述腔室内的工件支撑底座，其中该阴极具有用于支撑工件的表面，所述阴极包含不同电学特性的多个各个区域。
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