[发明专利]衬底的处理方法无效
| 申请号： | 200710127151.3 | 申请日： | 2005-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN101093790A | 公开（公告）日： | 2007-12-26 |
| 发明（设计）人： | 城户秀作 | 申请（专利权）人： | NEC液晶技术株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/027;G03F7/42;G03F7/26;G03F7/00 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 杨青;樊卫民 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以使通过第2次显影处理可以将有机膜图案加工成新的图案形状的处理顺利进行的衬底处理方法。依次进行：用于将衬底加热的加热处理、用于将有机膜图案表面上形成的破坏层除去的前处理、用于将有机膜图案的至少一部分缩小或者将所述有机膜图案的一部分除去的显影处理(第2次)。通过在由前处理除去破坏层后进行显影处理，可以顺利地、均一性良好地进行第2次的显影处理。因此，可以均一性良好地进行在显影处理后进行的底膜的图案加工。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.在位于有机膜图案下的底膜已经通过用所述有机膜图案作为掩模处理之后对已经在衬底上形成并且已经图案加工一次的有机膜图案进行一次或更多次处理的方法，其按顺序包括：加热步骤，对所述有机膜图案进行加热；和主步骤，缩小所述有机膜图案的至少一部分，或除去所述有机膜图案的至少一部分。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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