[发明专利]一种多晶硅生产方法有效

专利信息
申请号: 200710120469.9 申请日: 2007-08-20
公开(公告)号: CN101372336A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 沈祖祥;严大洲;汤传斌;肖荣晖;毋克力 申请(专利权)人: 中国恩菲工程技术有限公司
主分类号: C01B33/039 分类号: C01B33/039;F25J3/00;B01D53/14;C01B3/50;C01B7/07;C01B33/107
代理公司: 北京市德恒律师事务所 代理人: 宋合成
地址: 100038*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种改进的多晶硅生产方法,包括以工业硅和氯化氢为原料,反应生成三氯氢硅,所述三氯氢硅经提纯后,送入还原炉与氢气反应,还原生成多晶硅,并收集尾气,其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅,所述方法包括以下步骤:加压和冷却所述尾气,通过气液分离将气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅与液态的三氯氢硅和四氯化硅分离;使氢气、氯化氢和二氯二氢硅通过液态的四氯化硅,将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离。本发明可将氢气回收循环利用,并可再用于多晶硅生产中,原料得以充分的利用,减少了污染物,解决了环境污染问题,提高了产品质量,降低了成本。
搜索关键词: 一种 多晶 生产 方法
【主权项】:
1.一种多晶硅生产方法,包括以下步骤:以工业硅和氯化氢为原料,反应生成三氯氢硅;将所述三氯氢硅经提纯后与氢气反应,从而还原生成多晶硅;收集生成三氯氢硅、提纯三氯氢硅和生成多晶硅过程产生的尾气,其中所述尾气主要包括氢气、氯化氢、和氯硅烷,所述氯硅烷主要包括二氯二氢硅、三氯氢硅和四氯化硅;加压和冷却所述尾气,以便使所述三氯氢硅和四氯化硅变为液态而所述氢气、氯化氢、二氯二氢硅保持为气态,从而通过气液分离将气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅与液态的三氯氢硅和四氯化硅分离;使气态的氢气、氯化氢、和二氯二氢硅通过液态的吸收剂,以便使气态的氯化氢和二氯二氢硅溶解于液态的吸收剂中,从而将氢气与氯化氢和二氯二氢硅分离;和利用吸附剂吸附和滤除氢气中残余的气态氯化氢和氯硅烷,从而将氢气与所述残余的氯化氢和氯硅烷分离,由此回收氢气。
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