[发明专利]一种氢化锆表面防氢渗透层的制备方法无效
| 申请号： | 200710120412.9 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101134679A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王力军;陈伟东;卢世刚;王建伟;罗远辉;陈松;黄永章 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;G21C21/00;G21C5/00 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡长远 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢化锆表面防氢渗透层的制备方法。本发明方法是可以先对氢化锆表面进行化学抛光，然后置于氧气与氦气或氩气的混合气体中，在400～600℃条件下进行热氧化处理制得具有防氢渗透能力的氧化锆膜层。本发明制得的氧化锆膜层具有结合力强、稳定性好、且具有较强的防氢渗透能力，适宜作氢化锆慢化剂的防氢渗透材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氢化 表面 渗透 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氢化锆表面防氢渗透层的制备方法，将氢化锆置于氧气与氦气或氩气的混合气体中、并在400～600℃条件下进行热氧化处理，即在氢化锆表面原位生长得可防氢渗透的氧化锆膜层。
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