[发明专利]TFT结构和灰阶掩膜版结构有效
| 申请号： | 200710119928.1 | 申请日： | 2007-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN101359690A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 吕敬 | 申请（专利权）人： | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘芳 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TFT结构，包括源极和漏极，所述源极和漏极之间沟道的沟道长度为0.1μm～3.0μm。本发明还涉及一种灰阶掩膜版结构，包括掩膜版，所述掩膜版上设置有可掩膜出源极的源极区域和可掩膜出漏极的漏极区域，所述源极区域和漏极区域之间沟道区域的沟道长度为0.1μm～3.0μm。本发明通过沟道长度尺寸的选择，利用光的衍射效应，使TFT结构中的沟道长度尺寸大大减小，在沟道宽度相同的情况下，源漏极的W/L可以变大一个数量级以上，大大提升TFT的性能；在源漏极的W/L不变的情况下，可以大大缩小TFT的尺寸，并提高开口率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 结构 灰阶掩膜版 | ||
【主权项】：
1.一种TFT结构，包括源极和漏极，其特征在于，所述源极和漏极之间沟道的沟道长度为0.1μm～3.0μm。
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