[发明专利]用半固态技术制备SiC颗粒增强复合材料电子封装壳体工艺无效
申请号: | 200710119013.0 | 申请日: | 2007-06-18 |
公开(公告)号: | CN101069920A | 公开(公告)日: | 2007-11-14 |
发明(设计)人: | 王开坤 | 申请(专利权)人: | 北京科技大学 |
主分类号: | B22D18/02 | 分类号: | B22D18/02;B21C23/02;C22C1/10 |
代理公司: | 北京科大华谊专利代理事务所 | 代理人: | 刘月娥 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种用半固态技术制备SiC颗粒增强复合材料电子封装壳体工艺,属于电子封装技术领域。在80℃-120℃对块状基体金属合金进行干燥处理后,在电阻炉中加热熔化,合金在完全熔化后保温静置20-30分钟;向保温静置后的合金液加入体积分数为10%-30%SiC颗粒,边加入边均匀搅拌,同时控制冷却到半固态温度区间,得到颗粒增强复合材料半固态浆料;半固态挤压成形电子封装壳体模具设计:电子封装壳体的成形腔设计在挤压模具凹模腔的底部边缘水平方向;最后用半固态挤压成形方法加工出SiC颗粒增强金属基复合材料电子封装壳体。优点在于,不但可以实现电子封装壳体的短流程、近终形的成形制造,而且可以降低能源消耗,提高产品综合性能。 | ||
搜索关键词: | 固态 技术 制备 sic 颗粒 增强 复合材料 电子 封装 壳体 工艺 | ||
【主权项】:
1、用半固态技术制备SiC颗粒增强复合材料电子封装壳体工艺,其特征在于,工艺步骤为:(1)在80℃-120℃对块状基体金属合金进行干燥处理后,在电阻炉中加热熔化,合金在完全熔化后保温静置20-30分钟;所述的基体金属合金为A356铝合金、AZ91镁合金或CuZn31Al2黄铜合金;(2)向保温静置后的合金液加入体积分数为10%-30%SiC颗粒,边加入边均匀搅拌,同时控制冷却到半固态温度区间,得到颗粒增强复合材料半固态浆料;(3)半固态挤压成形电子封装壳体模具设计:电子封装壳体的成形腔设计在挤压模具凹模腔的底部边缘水平方向;(4)SiC颗粒增强金属基复合材料半固态挤压成形得到SiC颗粒体积分数为40%-60%的电子封装壳体:成形速度控制在80mm/s-140mm/s,成形温度根据合金确定,模具预热温度设为200℃-300℃,成形压力设为400KN-600KN,保压时间设为5-10秒。
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