[发明专利]一种连接系统引线框架上的防止氧化的装置及其方法无效
| 申请号： | 200710107262.8 | 申请日： | 2007-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN101312134A | 公开（公告）日： | 2008-11-26 |
| 发明（设计）人： | 一濑慎一 | 申请（专利权）人： | 上海三义精密模具有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200233上海市漕*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种连接系统引线框架上的防止氧化的装置及其方法，导轨上方设置有盖子和框架固定物，所述的导轨在自身的普通U型断面上，具有一个纵向延伸直线凹槽和一对为了支持引线框架的平行部，此平行部形成于纵向延伸直线凹槽的两侧，第一大气供管道穿过纵向延伸直线凹槽底部与其内腔连通，然后通过框架固定物下方环形墙开设的第一排气口与其连通，第二大气供管道在框架固定物上方穿过并且与框架固定物上方环形墙开设的第二排气孔连通。本发明的一种连接系统引线框架上的防止氧化的装置及其方法和现有技术相比，具有以下有益效果：为了防止氧化作用在连接系统的引线框架，其组成步骤：包含了引进第一大气走向引线框架的连接部分，沿引线框架的表面，并提供第二大气体来保护连接部分不接触周围空气，同时，引入第一大气体。由此防止了任何氧化隐患。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 连接 系统 引线 框架 防止 氧化 装置 及其 方法 | ||
【主权项】：
1、一种连接系统引线框架上的防止氧化的装置，其特征在于：导轨上方设置有盖子和框架固定物，所述的导轨在自身的普通U型断面上，具有一个纵向延伸直线凹槽和一对为了支持引线框架的平行部，此平行部形成于纵向延伸直线凹槽的两侧，第一大气供管道穿过纵向延伸直线凹槽底部与其内腔连通，然后通过框架固定物下方环形墙开设的第一排气口与其连通，第二大气供管道在框架固定物上方穿过并且与框架固定物上方环形墙开设的第二排气孔连通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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