[发明专利]改变读取参考电流以存取具有读取错误的非挥发存储器的装置与方法有效
| 申请号： | 200710103412.8 | 申请日： | 2007-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN101114530A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 洪俊雄;陈汉松 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明披露一种非挥发存储集成电路的读取参考值的改变，以回应与先前编程数据位相关的先前产生的检查码与回应读取命令而产生的新检查码之间的不一致。 | ||
| 搜索关键词： | 改变 读取 参考 电流 存取 具有 错误 挥发 存储器 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种读取非挥发存储器的方法，包括：回应至接收读取命令的非挥发存储集成电路，该非挥发存储集成电路进行：根据存取储存于该非挥发存储集成电路中的多个非挥发数据位来产生第一检查码；存取储存于该非挥发存储集成电路中的第二检查码，其作为与该多个(非挥发)数据位相关的多个非挥发(数据)检查位；检查该第一检查码与该第二检查码是否相符；于该产生与该检查步骤之后，回应该第一检查码与该第二检查码间的不相符，改变施加至存取储存于该非挥发存储集成电路中的该多个非挥发(数据)位的至少一个参考值，以区别该多个非挥发(数据)位所代表的逻辑级别。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司，未经旺宏电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710103412.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
