[发明专利]行波电极电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法

摘要

一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，包括：在衬底上依次生长铟磷应力缓冲层、n－1.2Q四元层、n－铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；生长刻蚀出氧化硅掩膜保护电吸收调制器区，磷离子注入，退火，去掉氧化硅掩膜和缺陷扩散层；在模板转换器材料区刻蚀锥形上波导和下波导；依次外延p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷停止层、p型磷化铟盖层和p型铟镓砷接触层；刻蚀EA区的脊结构；刻蚀EA区的绝缘平面；制作氮化钽薄膜电阻；制作p型金属欧姆接触；制作N型金属欧姆接触；制作聚酰亚胺桥；在电吸收调制器材料区上制作钛金电极结构；减薄解理，完成制作。

主权项

1、一种行波电吸收调制器和模斑转换器集成器件的制作方法，其特征在于，制作过程包括如下步骤：步骤1：在一衬底上采用金属有机气相沉积的方法依次生长铟磷应力缓冲层、n-1.2Q四元层、n-铟磷空间层、下分别限制层、多量子阱、上分别限制层、缺陷扩散层；步骤2：在缺陷扩散层上生长一层氧化硅掩膜，用湿法刻蚀掉模板转换器材料区的氧化硅掩膜，中间形成出氧化硅图形保护电吸收调制器材料区，进行磷离子注入，退火，实现量子阱混杂，使材料带隙波长蓝移，最后用化学试剂去掉氧化硅掩膜和缺陷扩散层；步骤3：在模板转换器材料区刻蚀模斑转换器的锥形上波导和下波导结构；步骤4：采用金属有机气相沉积的方法在器件上依次外延p型磷化铟薄层、p型铟镓砷磷选择化学停止层、p型磷化铟盖层和p型铟镓砷接触层；步骤5：采用化学湿法和反应离子干法刻蚀相结合的方法在电吸收调制器材料区处刻蚀脊结构；步骤6：在电吸收调制器材料区采用湿法刻蚀到衬底，形成绝缘平面，作为行波电极微波传输线输入、输出部分绝缘介质；步骤7：在衬底的绝缘平面的一侧边上采用带胶剥离的方法制作氮化钽薄膜电阻；步骤8：在脊结构上采用带胶剥离的方法制作p型金属欧姆接触；步骤9：在电吸收调制器材料区上的脊结构的两侧采用带胶剥离的方法制作N型金属欧姆接触；步骤10：在电吸收调制器材料区上制作聚酰亚胺桥；步骤11：在电吸收调制器材料区上制作钛金行波电极结构；步骤12：减薄解理，完成整个器件的制作。