[发明专利]结晶装置和结晶方法无效
| 申请号： | 200710096523.0 | 申请日： | 2003-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101101870A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 谷口幸夫;松村正清 | 申请（专利权）人： | 株式会社液晶先端技术开发中心 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;B23K26/06;G03F1/14;G03F7/20 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王永建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种结晶装置，它包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，照明系统发出的光透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜。该掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结晶装置，其包括：掩膜(1)；以及照明系统(2)，该照明系统(2)利用一光束照射该掩膜，该照明系统发出的光束透过该掩膜时变成具有呈反向峰值图案的光强度分布的光束，并照射一多晶半导体膜或一非晶态半导体膜，由此产生一晶化半导体膜，其特征在于，所述掩膜(1)包括光吸收层(1c)，该光吸收层(1c)具有与呈反向峰值图案的光强度分布相应的光吸收特性。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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