[发明专利]沟槽隔离集成方法无效
| 申请号： | 200710094147.1 | 申请日： | 2007-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101414574A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 陈俭 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周 赤 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽隔离集成方法，通过将刻出沟槽后的硅片采用氢气进行高温退火，使硅片表面的氧含量降低一个数量级，并减少了氧沉淀产生的可能性，从而降低了位错密度；同时，由于退火硅衬底表面原生缺陷密度大大降低，沟槽内表面形成了一个洁净区，从而更加有效的降低了缺陷密度。对于之后的高温热过程而言，通过氢气退火间隙原子的外扩散，减少了沟槽转角处位错和层错产生的几率，从而最终减少了缺陷密度。而且，该方法可以兼容现有的沟槽隔离集成工艺和设备，简单易行。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 集成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种沟槽隔离集成方法，其特征在于，包括：在硅衬底上刻蚀出沟槽，并用化学药液对硅片表面进行清洗后，先对硅片进行高温氢气退火，然后进行化学清洗，再使用高温炉管生长衬垫氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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