[发明专利]高精度宽频带污秽绝缘子泄漏电流传感器无效
申请号: | 200710092523.3 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN101126785A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 杜林;李先志;姚陈果;胡建林;李剑;蒋兴良;孙才新 | 申请(专利权)人: | 重庆大学 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R31/02;G01R31/12;G01R19/165 |
代理公司: | 重庆大学专利中心 | 代理人: | 胡正顺 |
地址: | 400044重*** | 国省代码: | 重庆;85 |
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摘要: | 一种高精度宽频带污秽绝缘子泄漏电流传感器,涉及绝缘子交流泄漏电流检测传感器。本发明传感器主要包括Rogowski线圈和积分放大单元及同轴电缆,Rogowski线圈与积分放大单元之间通过同轴电缆连接。由于本发明具有抗干扰能力强,检测精度高,灵敏度高达8.3mV/mA,频带宽达2Hz~100kHz,检测电流幅值范围为10μA~450mA等特点,故本发明可广泛应用于输电线路和变电站的绝缘子泄漏电流的在线监测,也可用于接地电流、漏电电流、谐波电流等其他电力、电子设备的微电流或小电流的监测。 | ||
搜索关键词: | 高精度 宽频 污秽 绝缘子 泄漏 电流传感器 | ||
【主权项】:
1.一种高精度宽频带污秽绝缘子泄漏电流传感器,主要包括Rogowski线圈、同轴电缆(2),其特征在于还有积分放大单元,Rogowski线圈与积分放大单元之间通过同轴电缆(2)连接,Rogowski线圈由纳米晶合金环形铁芯(1)、绕组(4)、双层屏蔽结构、外壳(8)及同轴电缆接头(3)组成,在外壳(8)内,从内至外分别设置绕组(4)、纳米晶合金环形铁芯(1)及双层屏蔽结构,绕组(4)绕在纳米晶合金环形铁芯(1)上,双层屏蔽结构设置在Rogowski线圈的上、下侧面和外侧面,双层屏蔽结构内层的为铜皮(7)、外层为铁皮(5)、厚度为0.3mm~0.5mm,两屏蔽层间填充聚四氟乙烯薄膜(6),两屏蔽层的外侧均有1mm~1.5mm宽的纵向开槽(9),同轴电缆接头(3)设置在外壳(8)的外侧面,积分放大单元主要包括前端保护电路、集成运算放大器、反馈电阻及滤波电容,其间通过导线连接,积分放大单元的输入端通过同轴电缆(2)与Rogowski线圈的同轴电缆接头(3)相连,输出端与第三方的在线监测系统的采集电路相连。
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