[发明专利]具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置及其资讯储存方法无效
| 申请号： | 200710090764.4 | 申请日： | 2007-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN101281787A | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 章耀勋;龚荣华 | 申请（专利权）人： | 宇瞻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置及其资讯储存方法。该具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置运用一单级单元式执行架构以提供资讯快速存取进而提升处理效能，并运用一多级单元式执行架构以增加每单元储存资料量密度而达到降低每单位资讯的成本与体积；该资讯储存方法将如作业系统程序、应用程序等重要资讯或存取次数频繁的资讯储存于单级单元式执行架构以提高存取速度与处理效能，而将一般性资讯储存于多级单元式执行架构以降低每单位资讯的成本与体积。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑 型快闪 记忆体 储存 装置 及其 资讯 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种具反和逻辑型快闪记忆体的储存装置，其特征在于，该储存装置包括有：一单级单元式执行架构(10)，其透过对一第一晶体管的浮置闸极的电荷施加电压以储存单一位元资讯，且藉由对该第一晶体管的源极将所储存的电荷消除以抹除该单一位元资讯；及一多级单元式执行架构(20)，其透过对一第二晶体管的浮置闸极的复数相异电位电荷施加电压以储存二位元资讯，且藉由对该第二晶体管的源极将所储存的电荷消除以抹除该二位元资讯。
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