[发明专利]磁记录介质及其制造方法无效
| 申请号： | 200710088666.7 | 申请日： | 2007-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101042879A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 渡边贞幸 | 申请（专利权）人： | 富士电机电子设备技术株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/73;G11B5/84 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 范征 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的一个目的是提供具有达到高密度记录的磁性点的磁记录介质。本发明另一个目的是提供这种磁记录介质的简便制造方法。所述磁记录介质包含顺序层叠在非磁性基片1上的至少一层下层3、磁记录层4和保护层5。下层3由钌或主要是钌的合金构成，在该下层表面具有预定间距的脊形线形成的波形结构。磁记录层4至少含有铁磁晶粒和非磁性组分。磁记录层中由粒径不小于4纳米的晶粒构成的磁性点4－1在下层表面上沿脊形线对齐；每个磁性点4－1被非磁性组分4－2相互隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 介质 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种磁记录介质，该磁记录介质包含：非磁性基片和顺序层叠在该非磁性基片上的至少一层下层、磁记录层和保护层；其中下层由钌或主要是钌的合金构成，在该下层表面上具有预定间距的脊形线形成的波形结构；磁记录层至少含有铁磁晶粒和非磁性组分；磁记录层中由粒径不小于4纳米的晶粒构成的磁性点在下层表面上沿脊形线对齐；每个磁性点被非磁性组分相互隔开。
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