[发明专利]相变存储装置无效

专利信息
申请号: 200710088419.7 申请日: 2007-03-22
公开(公告)号: CN101271959A 公开(公告)日: 2008-09-24
发明(设计)人: 陈达;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供了一种相变存储装置,其包括:第一电极;第二电极;以及相变材料层,设置于该第一与第二电极之间。上述相变材料层包括:第一部,连结于该第一电极,具有第一宽度;第二部,连结于该第二电极,具有第二宽度;第三部,连结该第一部与该第二部,具有第三宽度;以及第四部,分别连结该第三部之一侧边,该第四部具有鳍状外形以及第四宽度,其中该第三宽度为固定宽度,而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度,该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变材料层的该第三部处渐减。
搜索关键词: 相变 存储 装置
【主权项】:
1. 一种相变存储装置,包括:第一电极;第二电极;以及相变材料层,设置于该第一与第二电极之间,该相变材料层包括;第一部,连结于该第一电极,具有第一宽度;第二部,连结于该第二电极,具有第二宽度;第三部,连结并部分接触该第一部与该第二部,具有第三宽度;以及第四部,分别连结该第三部的一侧边,该第四部具有鳍状外形以及第四宽度。其中该第三宽度为固定宽度,而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度,该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变材料层的该第三部处渐减。
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