[发明专利]相变存储装置无效
申请号: | 200710088419.7 | 申请日: | 2007-03-22 |
公开(公告)号: | CN101271959A | 公开(公告)日: | 2008-09-24 |
发明(设计)人: | 陈达;许宏辉;叶吉田;蔡铭进 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种相变存储装置,其包括:第一电极;第二电极;以及相变材料层,设置于该第一与第二电极之间。上述相变材料层包括:第一部,连结于该第一电极,具有第一宽度;第二部,连结于该第二电极,具有第二宽度;第三部,连结该第一部与该第二部,具有第三宽度;以及第四部,分别连结该第三部之一侧边,该第四部具有鳍状外形以及第四宽度,其中该第三宽度为固定宽度,而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度,该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变材料层的该第三部处渐减。 | ||
搜索关键词: | 相变 存储 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种相变存储装置,包括:第一电极;第二电极;以及相变材料层,设置于该第一与第二电极之间,该相变材料层包括;第一部,连结于该第一电极,具有第一宽度;第二部,连结于该第二电极,具有第二宽度;第三部,连结并部分接触该第一部与该第二部,具有第三宽度;以及第四部,分别连结该第三部的一侧边,该第四部具有鳍状外形以及第四宽度。其中该第三宽度为固定宽度,而该第一宽度与该第二宽度为非固定宽度,该第一宽度与该第二宽度分别自该第一电极与该第二电极往该相变材料层的该第三部处渐减。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司,未经财团法人工业技术研究院;力晶半导体股份有限公司;南亚科技股份有限公司;茂德科技股份有限公司;华邦电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710088419.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种强阴离子预柱在磷酸化肽自动化分析过程中的应用
- 下一篇:带供给器